رئیس باشگاه پژوهشگران جوان
نام و نام خانوادگی:فاطمه کهنی خشکبیجاری
آدرس: رشت- پل تالشان- مجتمع آموزشی امام خمینی (ره)
آدرس پست الکترونیک: f.kohani[at]iaurasht.ac.ir
شماره تماس: ۳۳۴۲۴۰۷۹-داخلی ۱۱۳۸
اطلاعات تحصیلی:
آخرین مدرک تحصیلی: دانشجوی دکترای تخصصی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه شهیدبهشتی تهران
رشته تحصیلی: مهندسی برق الکترونیک
سال اخذ مدرک:
مرتبه علمی: مربی
سوابق آموزشی:عضو هیات علمی تمام وقت دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت (۱۳۹۴- تاکنون)
دروس تدریس شده: الکترونیک ۱-۲-۳ و ریزپردازنده پیشرفته ارشد
سوابق علمی و اجرایی
- عضو انجمن نانوتکنولوژی ایران (INS).
- عضو انجمن علمی بین المللی مهندسین برق و الکترونیک (IEEE)،
- عضو باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان دانشگاه آزاد اسلامی.
- دستیار تحقیقاتی در آزمایشگاه شبیه سازی و مدلسازی افزاره دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، از سال ۱۳۸۵ تا۱۳۹۳.
- برگزاری سخنرانی های علمی و کارگاههای آموزشی در زمینه الکترونیک در دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت و کنفرانس مهندسی برق ایران.
افتخارات
۱- کسب عنوان پایان نامه برتر کارشناسی ارشد در زمینه نانو الکترونیک از نهاد ریاست جمهوری (کمیته نانو فناوری) سال ۱۳۸۷.
۲- پژوهشگر برتر دانشکده فنی سما واحد رشت در سال ۱۳۹۲ .
----------------------------------------------------------------
سوابق پژوهشی
الف) طرح پژوهشی
- طرح پژوهشی خاتمه یافته در سازمان مرکزی دانشگاه آزاد اسلامی با عنوان "ارائه ساختار نوینSBMOSFET با کانال ناهمگون در ابعاد نانو"
ب) فهرست مقالات چاپ شده در ژورنال های علمی و کتابچه کنفرانسهای بینالمللی و ملی
Journal Papers:
1- "The State Space Average Model of Buck-Boost Switching Regulator Including all of The System Uncertainties", Mohammad Reza Modabbernia, Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Seyedeh Shiva Nejati, International Journal on Computer Science and Engineering (IJCSE); Feb 2013, Vol .5, No.2, 120-132. ISSN: 0975–3397
2- "The Multi Input-Multi Output State Space Average Model of KY Buck-Boost Converter Including all of The System Parameters", Mohammad Reza Modabbernia, Seyedeh Shiva Nejati, Fatemeh Kohani, International Journal of Advances in Engineering & Technology (IJAET); May 2013, Vol .6, Issue.2, 862-875. ISSN: 2231-1963
3- "The Impact of Structural Parameters on The Performance of Nanoscale DG-SOI MOSFETS in Sub Threshold Region", Kohani Fatemeh, Nematian Hamed, Fathipour Morteza, Journal of Electrical Engineering Science 2010; 1(1):15-19. ISSN: 2008-9864
International Conferences:
۱- "ترانزیستور گسیل میدانی با کانال خلا VFET در ابعاد نانو : ساختاری برای کاهش ولتاژ آستانه در افزاره های خلا"، محمدجواد شریفی، فاطمه کهنی ؛ بیست و پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران ICEE2017 ؛ ۱۴-۱۲ اردیبهشت ۱۳۹۶ ؛ تهران، دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی
2- "An Investigation in the Impact of Structural Parameters on the Electrical Characteristics of Nanoscale Heterostructure p-MOSFETs"; Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Shiva Nejati, Reza Barkhordari, Reza Kohani Khoshkbijari, Shide Nejati; 10th IEEE International conference on Semiconductor Electronics (IEEE-ICSE2012); Sep 2012; Kuala Lumpur, Malaysia
3- "A New Design Methodology based on Particle Swarm Optimization (PSO) Algorithm for Multi-clad Single Mode Optical Fibers"; Shiva Nejati, Reza Barkhordari, Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Shide Nejati, Reza Kohani Khoshkbijari; 10th IEEE International conference on semiconductor Electronics (IEEE-ICSE2012); Sep 2012; Kuala Lumpur, Malaysia
4- "A Comparison Study of Nanoscale Schottky Source/Drain MOS with Hetero Schottky Source/Drain MOS"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani; 1st National Conference of Nano Science & Nano Technology ; Feb 2011; Yazd, Iran
5- "A Simulation Study in Novel techniques of Short Channel in NanoScale Devices"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani, Mahdiyeh Nayeri; 1st National Conference of Nano Science & Nano Technology ; Feb 2011; Yazd, Iran
6- "Simulation and Modeling of NanoScale Heterostructure PMOSFET" ; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani; 1st Electrical Engineering Conference in Yazd University ; Dec. 2010; Yazd, Iran
7- " The Effects of Ge mole fraction and Si cap thickness on The Electrical Characteristics of NanoScale Hetero SBMOSFET"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani, Morteza Fathipour, Reza Fouladi ; ISCEE2010 ; Sep 2010; Tehran, Iran
8- "An Investigation in The Effect of Structural Parameters on The Electrical Characteristics of Nano Scale Hetero Schottky Source/Drain MOSFET"; Fatemeh Kohani, Morteza Fathipour; 5th NISC ; June. 2009; Tehran, Iran
9- "A Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale SOI MOSFET Device for Low Power Applications"; Fathipour Morteza, Vadizadeh Mahdi, Ahangari Zahra, Kohani Fatemeh; IUMRS 2008, Australia
10- "The Impact of Silicon-Cap on Electrical Characteristics of Schottky Barrier p-MOSFET with Strained Channel"; Fatemeh Kohani , Morteza Fathipour; ICSE 2008; Malaysia
11- "Improvement of Electrical Characteristics in Schottky Barrier Source/Drain pMOSFET with Strained Channel"; Fatemeh Kohani , Morteza Fathipour, Farhad Razaghian; ICNN2008 ; Oct 28-30 2008; Tabriz, Iran
12- "The Effect of Ge mole fraction on the electrical characteristics of nanoscale Si/SiGe heterostructure pMOSFET" ; Morteza Fathipour , Behrooz Abbaszadeh , Fatemeh Kohani , Farzan Farbiz ; ISDRS 2007, December 12-14, 2007, College Park, MD, USA
13- "A Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale MOSFET Device for Low Power Applications" ; Morteza Fathipour, Mahdi Vadizadeh, Zahra Ahangari , Fatemeh Kohani ; ICEE2008 ; May 13-15 2008 ;TEHRAN, IRAN.
14- "The Impact of structural parameters on the electrical characteristics of nano scale DG SOI MOSFET in subthreshold region"; Fathipour Morteza, Nematian Hamed, Kohani Fatemeh ; SETIT 2007, March 25-29,2007, TUNISIA
15- "Impact of Structural Parameters on The Electrical Characteristics of Nanoscale DG-SOI MOSFETs for Low Power Applications"; Fathipour Morteza, Kohani Fatemeh, Nematian Hamed ; ICNN2006, December 18-20,2006, TEHRAN, IRAN.
۱۶- "روشی بدیع برای کاهش خازن های لبه ای در افزاره نانومتری DG SOI MOSFET جهت کار در ناحیه زیر آستانه" ؛ حامد نعمتیان، فاطمه کهنی، مرتضی فتحی پور ؛ شانزدهمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران ICEE2008 ؛ ۲۶-۲۴ اردیبهشت ۱۳۸۷ ؛ تهران
کنفرانسهای ملی:
۱۷- "مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر روی مشخصه الکتریکی DG-SOI MOSFETs درابعاد نانو"؛ مرتضی فتحی پور، فاطمه کهنی، حامد نعمتیان ؛ اولین کنفرانس فناوری نانو منطقه جنوب، بهمن ۱۳۸۵ ، شیراز
۱۸- "بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه" ؛ مرتضی فتحی پور، حامد نعمتیان، فاطمه کهنی ؛ کنفرانس فیزیک ایران ؛ ۸-۵ شهریور ۱۳۸۶ ؛ یاسوج
۱۹- "بررسی اثر ضخامت بدنه بر عملکرد ترانزیستور DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیرآستانه" ؛ فاطمه کهنی، مرتضی فتحی پور، حامد نعمتیان ؛ کنفرانس ملی مهندسی برق NEEC2007 ؛ ۱۶-۱۵ اسفند ۱۳۸۶ ؛ نجف آباد