اطلاعات تحصیلی:

آخرین مدرک تحصیلی: دانشجوی دکترای تخصصی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه شهیدبهشتی تهران

رشته تحصیلی: مهندسی برق الکترونیک

سال اخذ مدرک:  

مرتبه علمی: مربی

سوابق آموزشی:

 عضو هیات علمی تمام وقت دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت (۱۳۹۴- تاکنون)

دروس تدریس شده: الکترونیک ۱-۲-۳ و ریزپردازنده پیشرفته ارشد

سوابق علمی و اجرایی

- عضو انجمن نانوتکنولوژی ایران (INS).

- عضو انجمن علمی بین المللی مهندسین برق و الکترونیک (IEEE)،

- عضو باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان دانشگاه آزاد اسلامی.

- دستیار تحقیقاتی در آزمایشگاه شبیه سازی و مدلسازی افزاره دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، از سال ۱۳۸۵ تا۱۳۹۳.

-  برگزاری سخنرانی های علمی و کارگاههای آموزشی در زمینه الکترونیک در دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت و کنفرانس مهندسی برق ایران.

 افتخارات

۱- کسب عنوان پایان نامه برتر کارشناسی ارشد در زمینه نانو الکترونیک از نهاد ریاست جمهوری (کمیته نانو فناوری) سال ۱۳۸۷.

۲-  پژوهشگر برتر دانشکده فنی سما واحد رشت در سال ۱۳۹۲ .

----------------------------------------------------------------

سوابق پژوهشی

الف) طرح پژوهشی

 -  طرح پژوهشی خاتمه یافته در سازمان مرکزی دانشگاه آزاد اسلامی با عنوان "ارائه ساختار نوینSBMOSFET  با کانال ناهمگون در ابعاد نانو"

  ب) فهرست مقالات چاپ شده در ژورنال های علمی و کتابچه کنفرانس­های بین­المللی و ملی

 

Journal Papers:

1- "The State Space Average Model of Buck-Boost Switching Regulator Including all of The System Uncertainties", Mohammad Reza Modabbernia, Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Seyedeh Shiva Nejati, International Journal on Computer Science and Engineering (IJCSE); Feb 2013, Vol .5, No.2, 120-132. ISSN: 0975–3397

2-  "The Multi Input-Multi Output State Space Average Model of  KY Buck-Boost Converter Including all of The System Parameters", Mohammad Reza Modabbernia, Seyedeh Shiva Nejati, Fatemeh Kohani, International Journal of Advances in Engineering & Technology (IJAET); May 2013, Vol .6, Issue.2, 862-875. ISSN: 2231-1963

3- "The Impact of Structural Parameters on The Performance of Nanoscale DG-SOI MOSFETS in Sub Threshold Region", Kohani Fatemeh, Nematian Hamed, Fathipour Morteza, Journal of Electrical Engineering Science 2010; 1(1):15-19. ISSN: 2008-9864

International Conferences:

۱- "ترانزیستور گسیل میدانی با کانال خلا VFET در ابعاد نانو : ساختاری برای کاهش ولتاژ آستانه در افزاره های خلا"، محمدجواد شریفی، فاطمه کهنی ؛ بیست و پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران ICEE2017 ؛ ۱۴-۱۲ اردیبهشت ۱۳۹۶ ؛ تهران، دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی

2-  "An Investigation in the Impact of Structural Parameters on the Electrical Characteristics of Nanoscale Heterostructure p-MOSFETs"; Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Shiva Nejati, Reza Barkhordari, Reza Kohani Khoshkbijari, Shide Nejati; 10th IEEE International conference on Semiconductor Electronics (IEEE-ICSE2012); Sep 2012; Kuala Lumpur, Malaysia

3-  "A New Design Methodology based on Particle Swarm Optimization (PSO) Algorithm for Multi-clad Single Mode Optical Fibers"; Shiva Nejati, Reza Barkhordari, Fatemeh Kohani, Reza Fouladi, Shide Nejati, Reza Kohani Khoshkbijari; 10th IEEE International conference on semiconductor Electronics (IEEE-ICSE2012); Sep 2012; Kuala Lumpur, Malaysia

4- "A Comparison Study of Nanoscale Schottky Source/Drain MOS with Hetero Schottky Source/Drain MOS"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani; 1st National Conference of Nano Science & Nano Technology ; Feb 2011; Yazd, Iran

5-  "A Simulation Study in Novel techniques of Short Channel in NanoScale Devices"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani, Mahdiyeh Nayeri; 1st National Conference of  Nano Science & Nano Technology ; Feb 2011; Yazd, Iran

  6- "Simulation and Modeling of NanoScale Heterostructure PMOSFET" ; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani; 1st Electrical Engineering Conference in Yazd University ; Dec. 2010; Yazd, Iran

7- " The Effects of Ge mole fraction and Si cap thickness on The Electrical Characteristics of NanoScale Hetero SBMOSFET"; Maryam Nayeri, Fatemeh Kohani, Morteza Fathipour, Reza Fouladi ; ISCEE2010 ; Sep 2010; Tehran, Iran

8-  "An Investigation in The Effect of Structural Parameters on The Electrical Characteristics of Nano Scale Hetero Schottky Source/Drain MOSFET"; Fatemeh Kohani, Morteza Fathipour; 5th NISC ; June. 2009; Tehran, Iran

   9- "A Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale  SOI MOSFET Device for Low Power Applications"; Fathipour Morteza, Vadizadeh Mahdi, Ahangari Zahra, Kohani Fatemeh; IUMRS 2008, Australia

10- "The Impact of Silicon-Cap on Electrical Characteristics of Schottky Barrier p-MOSFET with Strained Channel"; Fatemeh Kohani  , Morteza Fathipour; ICSE 2008; Malaysia

11- "Improvement of Electrical Characteristics in Schottky Barrier Source/Drain pMOSFET with Strained Channel"; Fatemeh Kohani  , Morteza Fathipour, Farhad Razaghian; ICNN2008 ; Oct 28-30 2008; Tabriz, Iran

12- "The Effect of Ge mole fraction on the electrical characteristics of nanoscale Si/SiGe heterostructure pMOSFET" ; Morteza Fathipour  , Behrooz Abbaszadeh ,  Fatemeh Kohani , Farzan Farbiz  ; ISDRS 2007, December 12-14, 2007, College Park, MD, USA

13- "A Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale MOSFET Device for Low Power Applications" ; Morteza Fathipour, Mahdi Vadizadeh, Zahra Ahangari , Fatemeh Kohani ; ICEE2008 ; May 13-15 2008 ;TEHRAN, IRAN.

14- "The Impact of structural parameters on the electrical characteristics of nano scale DG SOI MOSFET in subthreshold region"; Fathipour Morteza, Nematian Hamed, Kohani Fatemeh ; SETIT 2007, March 25-29,2007, TUNISIA

15- "Impact of Structural Parameters on The Electrical Characteristics of Nanoscale DG-SOI MOSFETs for Low Power Applications"; Fathipour Morteza, Kohani Fatemeh, Nematian Hamed ; ICNN2006, December 18-20,2006, TEHRAN, IRAN.

۱۶- "روشی بدیع برای کاهش خازن های لبه ای در افزاره نانومتری DG SOI MOSFET جهت کار در ناحیه زیر آستانه" ؛ حامد نعمتیان، فاطمه کهنی، مرتضی فتحی پور ؛ شانزدهمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران ICEE2008 ؛ ۲۶-۲۴ اردیبهشت ۱۳۸۷ ؛ تهران

کنفرانسهای ملی:

۱۷-  "مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر روی مشخصه الکتریکی DG-SOI MOSFETs    درابعاد نانو"؛  مرتضی فتحی پور، فاطمه کهنی، حامد نعمتیان ؛ اولین کنفرانس فناوری نانو منطقه جنوب، بهمن ۱۳۸۵ ، شیراز

۱۸- "بررسی تاثیر پارامتر­های ساختاری بر مشخصه­های الکتریکی افزاره­های نانومتری DG-SOI MOSFETs  در ناحیه زیر آستانه" ؛ مرتضی فتحی پور، حامد نعمتیان، فاطمه کهنی ؛ کنفرانس فیزیک ایران ؛ ۸-۵ شهریور ۱۳۸۶ ؛ یاسوج

۱۹- "بررسی اثر ضخامت بدنه بر عملکرد ترانزیستور DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیرآستانه" ؛ فاطمه کهنی، مرتضی فتحی پور، حامد نعمتیان ؛ کنفرانس ملی مهندسی برق NEEC2007 ؛ ۱۶-۱۵ اسفند ۱۳۸۶ ؛ نجف آباد